Kas ir RF Magnetron Sputtering?

Pirmais solis RF magnetronu izsmidzināšanas procesā ir substrāta materiāla ievietošana vakuuma kamerā. Pēc tam gaiss tiek noņemts, un mērķa materiāls, materiāls, kas veidos plānu plēvi, tiek izlaists kamerā gāzes veidā. Šī materiāla daļiņas tiek jonizētas, izmantojot spēcīgus magnētus. Tagad plazmas veidā negatīvi lādētais mērķa materiāls atrodas uz substrāta, veidojot plānu plēvi. Plāno kārtiņu biezums var būt no dažiem līdz dažiem simtiem atomu vai molekulu.

Magnēti palīdz paātrināt plānās plēves augšanu, jo atomu magnetizēšana palīdz palielināt mērķa materiāla procentuālo daudzumu, kas kļūst jonizēts. Jonizētie atomi, visticamāk, mijiedarbosies ar citām plānās kārtiņas procesā iesaistītajām daļiņām, un tāpēc tie, visticamāk, nosēssies uz pamatnes. Tas palielina plānās kārtiņas procesa efektivitāti, ļaujot tām augt ātrāk un pie zemāka spiediena.

RF magnetrona izsmidzināšanas process ir īpaši noderīgs, lai izgatavotu plānas plēves no materiāliem, kas nevada. Šiem materiāliem var būt grūtāk izveidot plānu plēvi, jo tie kļūst pozitīvi uzlādēti, neizmantojot magnētismu. Atomi ar pozitīvu lādiņu palēninās izsmidzināšanas procesu un var “saindēt” citas mērķa materiāla daļiņas, vēl vairāk palēninot procesu.

Magnetronu izsmidzināšanu var izmantot ar vadošiem vai nevadošiem materiāliem, savukārt saistītais process, ko sauc par diodes (DC) magnetronu izsmidzināšanu, darbojas tikai ar vadošiem materiāliem. Līdzstrāvas magnetronu izsmidzināšana bieži tiek veikta ar augstāku spiedienu, ko var būt grūti uzturēt. Zemāks spiediens, ko izmanto RF magnetronu izsmidzināšanā, ir iespējams, jo vakuuma kamerā ir liels jonizēto daļiņu procentuālais daudzums.